SiC新一代电力电子学的创新发展

发布时间：2018-01-29 09:50

  本文关键词： 电力电子 SiC MOSFET SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT) SiC DC/DC变换器 逆变器　出处：《半导体技术》2017年04期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：进入21世纪,宽禁带半导体材料的发展对电力电子学产生了革命性的影响,SiC新一代电力电子学应运而生。从高频高效率开关应用、高功率密度、高压变换、高温工作、热管理和可靠性研究等方面介绍了近几年SiC电力电子学的应用创新。应用创新的内容包含:电路拓扑结构设计、优化设计方法、SiC功率器件和先进高频无源元件的采用、寄生参量的抑制、驱动电路设计、高温粘结与封装工艺、新冷却方法和极端工作条件的可靠性试验方法等。对SiC电力电子学的应用创新进行了综合评价。
[Abstract]:In 21th century, the development of wide band gap semiconductor materials has a revolutionary impact on power electronics. The new generation of sic power electronics came into being. From the high frequency and high efficiency switch applications, high power density. The application innovation of SiC power electronics in recent years is introduced in the aspects of high voltage conversion, high temperature operation, thermal management and reliability research. The contents of application innovation include: circuit topology design, optimization design method. SiC power devices and advanced high-frequency passive components, parasitic parameter suppression, drive circuit design, high-temperature bonding and packaging technology. The new cooling method and reliability test method of extreme working conditions are used to evaluate the application innovation of SiC power electronics.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司;
【分类号】：TN303
【正文快照】： 0引言电力电子学是在产生、传输、存储或消费的电功率流中的转换和控制技术,其关键部件是半导体高功率器件(晶体管和二极管)和利用高功率器件的电功率变换器。以Si MOSFET、Si绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)和二极管为代表的Si电力电子学经过30

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本文编号：1473127