短沟道MOS器件随机电报信号噪声的检测与分析
本文关键词: 随机电报信号(RTS)噪声 短沟道MOS器件 噪声测量 LMS算法 可靠性 出处:《半导体技术》2016年03期 论文类型:期刊论文
【摘要】:随机电报信号(RTS)噪声是表征短沟道器件可靠性的重要敏感参数,能敏感地反映MOS器件中的边界陷阱,为探测小尺寸器件中的缺陷提供了有效的手段。为了能够准确测量出RTS,采用了无噪声偏置电路,设计了两级抑噪电路。在两通道三个运算放大器的基础上,设计了RTS噪声测量放大器,提出一种改进的变步长LMS数字滤波器算法,构造了步长函数和误差的相关值之间的非线性表达式。实验结果表明,在较小的RTS时间常数下,相同精度时,参量提取的误差比传统方法减小20%,同时新算法具有更快的收敛速度,良好的稳态误差性。
[Abstract]:Random Telegraph signal (RTS) noise is an important sensitive parameter to characterize the reliability of short channel devices and can sensitively reflect the boundary traps in MOS devices. In order to accurately measure RTS, a noise-free bias circuit is used. A two-stage noise suppression circuit is designed. On the basis of two channels and three operational amplifiers, a RTS noise measurement amplifier is designed, and an improved variable step size LMS digital filter algorithm is proposed. The nonlinear expression between the step size function and the correlation value of the error is constructed. The experimental results show that the error of parameter extraction is 20% less than that of the traditional method under the small RTS time constant with the same precision. At the same time, the new algorithm has faster convergence speed and better steady-state error.
【作者单位】: 长春理工大学电子信息工程学院;东北电力大学信息工程学院;北华大学电气信息工程学院;
【基金】:国家自然科学基金资助项目(61271115)
【分类号】:TN386
【正文快照】: 0引言随着器件工艺的不断改进,短沟道MOS器件的低频噪声由1/f噪声退化为随机电报信号(RTS)噪声[1]。由于信号对器件界面上的微小变化极其敏感,目前,RTS噪声是对MOS器件边界陷阱进行非破坏性研究的唯一手段[2-5],也是表征短沟道器件可靠性的重要敏感参数,而研究RTS噪声的关键在
【参考文献】
相关期刊论文 前1条
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【共引文献】
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1 鲍立;庄奕琪;包军林;李伟华;;高栅压下超薄栅nMOSFET的RTS噪声[J];半导体学报;2007年04期
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3 方雯;Eddy Simoen;Li Chikang;Marc Aoulaiche;罗军;赵超;Cor Claeys;;Silicon-film-related random telegraph noise in UTBOX silicon-on-insulator nMOSFETs[J];Journal of Semiconductors;2015年09期
相关硕士学位论文 前2条
1 王晶;半导体激光器可靠性检测系统设计与实现[D];吉林大学;2007年
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【相似文献】
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本文编号:1474688
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