宽禁带SiC单晶衬底研究进展

发布时间：2018-02-03 19:43

  本文关键词： 功率器件 碳化硅 衬底材料　出处：《电力电子技术》2017年08期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：碳化硅(SiC)作为第3代宽禁带半导体的核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、化学稳定性好等优良特性,是制作高压、大功率、高频、高温和抗辐射新型功率半导体器件的理想材料。近年来,国内外在SiC单晶衬底制备方面取得了重大进展。对SiC单晶衬底材料的最新发展进行回顾,包括SiC单晶生长技术、直径扩大、缺陷控制等,对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。随着高质量大尺寸SiC衬底材料的迅速发展,大大降低了SiC器件的制造成本,为SiC功率器件的发展提供了坚实基础。
[Abstract]:As one of the core materials of the third generation wide band gap semiconductor, sic has high breakdown field strength, high saturated electron drift rate, high thermal conductivity and good chemical stability. Ideal materials for high-power, high-frequency, high-temperature and radiation-resistant new power semiconductor devices. Great progress has been made in the preparation of SiC single crystal substrates at home and abroad. The latest development of SiC single crystal substrates is reviewed, including the growth technology of SiC single crystals, diameter expansion, defect control and so on. The development trend of SiC single crystal materials is prospected. With the rapid development of high quality and large size SiC substrates, the manufacturing cost of SiC devices is greatly reduced. It provides a solid foundation for the development of SiC power devices.
【作者单位】： 山东大学晶体材料国家重点实验室;
【基金】：国家重点研发计划(2016YFB0400401) 山东省重大研发计划(2016GGX4101)~~
【分类号】：TN304.24
【正文快照】： l引言随着电力电子器件性能需求的不断提高,Si材料的物理局限性日益显现,严重制约了Si器件性能的提高m。近年来,以SiC为代表的宽禁带半导体材料越来越受到产业界的广泛关注,使用SiC材料制造新一代的电力电子元件,可变得更小、更快、更可靠且更高效。这将减少电力电子元件的质

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本文编号：1488206