双势垒量子点CCD读出

发布时间：2018-02-04 18:59

  本文关键词： 双势垒量子点 CCD 光电响应 CTIA读出电路 低温测试　出处：《华东师范大学》2015年硕士论文　论文类型：学位论文

【摘要】：上世纪末至今,量子点光电探测器(Quantum dot photodetector, QDP)技术取得了长足的发展。与其它光电探测技术相比,Ⅲ-Ⅴ族化合物材料量子点光电探测器具有工艺成熟、热稳定性好、多色探测和均匀性高等优势。论文针对高灵敏、宽动态范围和良好光电存储特性的InGaAs/GaAs双势垒量子点光电器件,进行CCD读出研究。具体研究内容有：1、InGaAs量子点光电探测器的电荷转移读出。2、64元双势垒量子点光电探测器和CTIA读出电路对接线列的光电响应。3、应用氦气循环制冷技术,验证了读出电路芯片能在45K的低温环境下工作。
[Abstract]:Since the end of last century, quantum dot photodetectors (QDPs) have made great progress compared with other photodetectors. The quantum dot photodetectors of class 鈪，

本文编号：1490915