新型碱性清洗液对铝栅CMP后硅溶胶的去除

发布时间：2018-02-09 17:42

  本文关键词： 铝(Al)栅 碱性清洗液 硅溶胶 螯合剂 活性剂 非均匀腐蚀　出处：《微纳电子技术》2017年03期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：针对铝栅化学机械抛光(CMP)后硅溶胶颗粒残留等问题,研制了新型FA/O碱性清洗液并进行CMP后清洗实验。清洗液主要成分是FA/OⅡ螯合剂和O-20非离子型活性剂,由金相显微镜和原子力显微镜检测结果得出:FA/OⅡ螯合剂可以有效去除硅溶胶颗粒,当不加入FA/OⅡ螯合剂时,残留颗粒较多;当螯合剂体积分数为0.05‰~0.2‰时,残留颗粒数量明显下降。通过电化学工作站可知:随着O-20非离子型活性剂体积分数的提升(0~2‰),铝栅自腐蚀电流逐渐降低,由5.195μA下降到1.024μA。通过改变清洗液中螯合剂和活性剂的体积配比做单因素实验,得到最佳清洗效果和最弱腐蚀。实验结果表明:当清洗液中FA/OⅡ体积分数为0.15‰,O-20活性剂体积分数为1.5‰时,pH10,表面粗糙度为2.4 nm,硅溶胶颗粒去除效果比较好且非均匀腐蚀比较弱。
[Abstract]:A new type of FA / O 鈪，

本文编号：1498498