Mg掺杂GaN结构及电子结构的理论研究

发布时间：2018-02-17 01:22

  本文关键词： 掺杂 高压 带隙 第一性原理　出处：《四川大学学报(自然科学版)》2017年05期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法研究了金属元素Mg掺杂GaN的结构及电子结构性质.计算金属Mg分别替换Ga和N原子后体系的结合能,得到Mg原子更容易替换Ga原子,与他人的结果一致.掺杂后晶格常数a和c反而略有增大,并且高压下的情况是类似的.Mg掺杂后GaN电子结构显示掺杂使得GaN带隙略有增加,压强从0增加到20GPa,掺杂前后带隙值分别增大约39.1%和38.4%.
[Abstract]:The structure and electronic properties of metal element mg doped GaN are studied by using the pseudopotential plane wave method based on density functional theory. The binding energy of the system after mg is replaced by Ga and N atoms respectively is calculated, and it is found that mg atoms can replace Ga atoms more easily. The lattice constants a and c increase slightly after doping, and at high pressure, the electronic structure of GaN after doping with. Mg shows that the band gap of GaN increases slightly after doping. When the pressure increases from 0 to 20 GPA, the band gap increases by about 39.1% and 38.4 respectively before and after doping.
【作者单位】： 河南理工大学材料科学与工程学院;攀枝花学院材料工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(11404099) 河南理工大学杰出青年基金(J2014-05)
【分类号】：TN304

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本文编号：1516888