碳化硅基MOSFETs器件研究进展

发布时间：2018-02-23 11:53

本文关键词： 碳化硅功率器件金属-氧化物-半导体场效应晶体管阻断电压通态电阻　出处：《西安邮电大学学报》2016年04期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：基于近20年的研发,宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)的制备工艺逐步成熟,性能不断提高,已有SiC MOSFETs产品进入市场,故综述双注入MOSFETs(DMOSFETs)和沟槽MOSFETs(UMOSFETs)两种结构的SiC MOSFETs的研究进展和发展趋势,并介绍SiC MOSFETs器件制备的关键工艺和目前推出SiC MOSFET产品的公司及其产品性能。
[Abstract]:Based on the recent 20 years' research and development, the preparation process of metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFETs) with wide band gap semiconductor silicon carbide (sic) has been gradually matured and its performance has been improved. SiC MOSFETs products have entered the market. This paper reviews the research progress and development trend of SiC MOSFETs with dual injection MOSFETs (DMOSFETs) and grooves MOSFETs (UMOSFETs), and introduces the key processes for the fabrication of SiC MOSFETs devices, as well as the companies that have launched SiC MOSFET products at present and their product properties.
【作者单位】：国家国防科技工业局协作配套中心;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金重点项目(61334002)
【分类号】：TN386

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