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外磁场对飞秒激光激励半导体材料的太赫兹辐射的影响

发布时间:2018-02-23 20:50

  本文关键词: 太赫兹辐射 drude-Lorentz模型 外磁场 辐射增强 出处:《应用激光》2017年05期  论文类型:期刊论文


【摘要】:为了研究在半导体上施加外磁场对太赫兹辐射的影响,基于drude-Lorentz模型对三种不同的半导体材料GaAs、InAs、InSb在不同的外磁场方向下太赫兹辐射功率的变化进行了研究。研究结果发现,外磁场对具有较小有效质量和较高电子迁移率的半导体材料的太赫兹辐射增强效应最明显。此外,太赫兹辐射最强时GaAs和InAs的最佳外磁场方向是沿y轴负方向,InSb的最佳外磁场方向是在与x轴及相反方向成40°夹角的x-z平面内。
[Abstract]:In order to study the effect of external magnetic field on terahertz radiation on semiconductor, the changes of terahertz radiation power of three different semiconductor materials, GaAs-InAs-InSb, under different directions of external magnetic field were studied based on drude-Lorentz model. The terahertz radiation enhancement effect of external magnetic field on semiconductor materials with small effective mass and high electron mobility is most obvious. When terahertz radiation is strongest, the optimum external magnetic field direction of GaAs and InAs is the x-z plane with 40 掳angle with x axis and opposite direction along the negative direction of y axis.
【作者单位】: 湖北第二师范学院物理与机电工程学院;华中科技大学光学与电子信息学院;天津大学精密仪器与光电子工程学院;
【基金】:湖北省教育厅中青年人才资助项目(项目编号:Q20163001)
【分类号】:O441;TN304

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本文编号:1527569

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