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基于改进CAF-WAS的绑定前硅通孔测试

发布时间:2018-02-24 05:37

  本文关键词: 三维集成电路 硅通孔(TSV) 自测试 伪泄漏路径 开路故障 出处:《计算机工程与科学》2017年03期  论文类型:期刊论文


【摘要】:硅通孔TSV发生开路故障和泄漏故障会降低三维集成电路的可靠性和良率,因此对绑定前的TSV测试尤为重要。现有CAF-WAS测试方法对泄漏故障的测试优于其他方法(环形振荡器等),缺点是该方法不能测试开路故障。伪泄漏路径思想的提出,解决了现有CAF-WAS方法不能对开路故障进行测试的问题。另外,重新设计了等待时间产生电路,降低了测试时间开销。HSPICE仿真结果显示,该方法能准确预测开路和泄漏故障的范围,测试时间开销仅为现有同类方法的25%。
[Abstract]:The reliability and yield of 3D integrated circuits can be reduced by open circuit fault and leakage fault in silicon through hole TSV. Therefore, it is very important to test TSV before binding. The existing CAF-WAS testing method is superior to other methods (ring oscillator, etc.) in testing leakage fault, but the disadvantage of this method is that it can not test open circuit fault. The problem that the existing CAF-WAS method can not test open circuit fault is solved. In addition, the waiting time generation circuit is redesigned, and the test time overhead is reduced. The simulation results show that the method can accurately predict the range of open circuit and leak fault. The test time cost is only 25% of that of the existing method.
【作者单位】: 合肥工业大学电子科学与应用物理学院;合肥工业大学计算机与信息学院;
【基金】:国家自然科学基金(61674048,61574052,61371025,61474036)
【分类号】:TN407

【相似文献】

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本文编号:1529072

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