S波段GaN微波功率器件的研制

发布时间：2018-02-27 22:38

  本文关键词： GaN 微波功率器件 ADS 超宽带 高效率　出处：《电子器件》2017年01期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：简要介绍了第3代新型半导体材料GaN的特点和优势,基于Agilent ADS微波仿真软件设计并实现了一款工作于S波段基于GaN的高效超宽带微波功率器件。测试结果表明,该器件适用于2.7 GHz~3.5 GHz的超宽带,连续波和脉冲制式均可工作,在饱和状态下,输出功率大于15 W,增益达到13 d B,漏极效率超过45%,并在管壳内部实现了匹配和偏置电路,对GaN MOSFET微波功率器件小型化、超宽带、高增益和高效率的优异性能得以验证和实现。
[Abstract]:This paper briefly introduces the characteristics and advantages of the third generation semiconductor materials GaN, Agilent ADS microwave simulation software design and implementation of a working in S band based on ultra wideband microwave power device based on GaN. Test results show that this device is suitable for 2.7 GHz~3.5 GHz ultra wideband, continuous wave and pulse system can work in. The saturated state, the output power is greater than 15 W, the gain is 13 D B, the drain efficiency of more than 45%, and in the tube shell is realized, and a bias circuit of GaN MOSFET microwave power device miniaturization, ultra wideband, validation and implementation of high gain and high efficiency to excellent performance.

【作者单位】： 西安电子工程研究所;
【基金】：江苏博普电子科技有限责任公司项目
【分类号】：TN61

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本文编号：1544618