衬底的Al化处理对AlN性能的影响

发布时间：2018-03-01 00:15

  本文关键词： 衬底的Al化处理 MOCVD AlN 晶体质量 应变　出处：《人工晶体学报》2017年08期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：研究了衬底的Al化处理对采用MOCVD法在c面蓝宝石衬底上高温生长Al N外延层的影响机制。通过原位监测监控整个外延生长过程,同时对Al N外延层的表面形貌和晶体质量以及应变状态进行表征研究。结果表明衬底的Al化处理导致Al N外延层的表面更加平整但是晶体质量下降,同时对外延层的应变也有很明显的影响。
[Abstract]:The mechanism of Al-N epitaxial growth on c-plane sapphire substrate by MOCVD method was studied. The whole epitaxial growth process was monitored by in-situ monitoring. At the same time, the surface morphology, crystal quality and strain state of the Al N epitaxial layer were characterized. The results show that the surface of the Al N epitaxial layer is flatter but the crystal quality is decreased due to the Al treatment of the substrate. At the same time, the strain of the epitaxial layer is also obviously affected.
【作者单位】： 公安海警学院基础部;宁波市科技信息研究院;
【基金】：国家自然科学基金(51146005) 亚热带建筑科学国家重点实验室开放课题项目(2010KA01)
【分类号】：TN304.2

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本文编号：1549575