S波段温度补偿型FBAR窄带滤波器的研制

发布时间：2018-03-01 06:07

  本文关键词： FBAR滤波器 频率温度系数 温度补偿 二氧化硅 窄带　出处：《半导体技术》2017年07期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：研制了一种以SiO_2材料作为温度补偿层的S波段温度补偿型薄膜体声波谐振器(FBAR)窄带滤波器。研究了SiO_2层厚度对FBAR温度漂移特性的影响,对不同厚度SiO_2层时的温度补偿特性进行了仿真。仿真结果表明,当Mo/Al N/Mo的厚度为0.15,1.35和0.15μm,SiO_2层的厚度为10 nm时,FBAR的频率温度系数(TCF)约为3×10~(-6)/℃。采用MEMS工艺制备了温度补偿型FBAR滤波器芯片并进行了测试。测试结果表明,滤波器的中心频率为2 492 MHz,中心插损为3.74 dB,3 dB带宽为17 MHz,相对带宽为0.68%,在2 477和2 507 MHz处阻带抑制分别为27.44和33.81 dBc。在三温(常温25℃、高温85℃、低温-55℃)对该滤波器的S参数进行了测试,计算得出频率温度系数为5×10~(-6)/℃。与未加入温度补偿层的传统滤波器相比,频率温度系数改善明显。
[Abstract]:A S-band temperature compensated thin film bulk acoustic resonator (FBA) narrow band filter with SiO_2 material as the temperature compensation layer is developed. The influence of the thickness of SiO_2 layer on the temperature drift characteristics of FBAR is studied. The temperature compensation characteristics of different thickness SiO_2 layers are simulated. The simulation results show that, When the thickness of Mo/Al N / Mo is 0.15 渭 m 1.35 and the thickness of 0.15 渭 m SiO2 layer is 10 nm, the frequency and temperature coefficient of FBAR is about 3 脳 10 ~ (-6) / 鈩，

本文编号：1550717