50～75MHz 1200W脉冲功率LDMOS器件的研制

发布时间：2018-03-02 13:38

  本文选题：硅　切入点：横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)　出处：《半导体技术》2017年08期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：分析了工作于甚高频(VHF)频段的千瓦级横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的输出功率、漏极效率及功率增益等关键参数在设计时应考虑的因素,在此基础上,采用0.8μm LDMOS工艺成功研制了一款工作于VHF频段的脉冲大功率硅LDMOS场效应晶体管(LDMOSFET)。设计了用于50~75 MHz频带的宽带匹配电路。研制的器件击穿电压为130 V。在工作电压为50 V,工作脉宽为1 ms,占空比为30%的工作条件下测试得到,器件的带内输出功率大于1 200 W,功率增益大于20 dB,漏极效率大于65%,抗驻波比大于10∶1。
[Abstract]:The key parameters such as output power, drain efficiency and power gain of kilowatt-class transverse diffusion metal oxide semiconductor LDMOS (LDMOSs) operating in VHF VHF frequency band are analyzed. On the basis of the analysis, the key parameters such as output power, drain efficiency and power gain are considered. A pulse high power silicon LDMOS field effect transistor (LDMOSFET) working in VHF band is successfully developed by using 0.8 渭 m LDMOS process. A wide band matching circuit for 50 ~ 75 MHz band is designed. The breakdown voltage of the device is 130V and the operating voltage is 50 V. V, the working pulse width is 1 Ms, and the duty cycle is 30%. The in-band output power of the device is more than 1 200 W, the power gain is more than 20 dB, the drain efficiency is greater than 65 and the standing wave ratio is more than 10: 1.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第十三研究所;
【分类号】：TN386.1

【参考文献】

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【共引文献】

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3 胡顺欣;何先良;王强栋;梁东升;李飞;邓建国;郎秀兰;李亮;;P波段900W脉冲功率LDMOS器件的研制[J];微电子学;2015年04期

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本文编号：1556753