PSP-SOI模型在RF SOI技术中的应用

发布时间：2018-03-03 04:37

  本文选题：PSP-SOI　切入点：部分耗尽　出处：《集成电路应用》2016年12期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：SOI工艺因其独特的器件特性而被物联网时代所追捧。相对精准的器件模型显得愈加重要。这是在SOI器件特性和模型理论的基础上,采用PSP-SOI(PD)模型提取了一套完整的射频模型,并对模型进行了直流、交流、高频小信号以及大信号非线性等方面的一系列的验证,基本满足各项指标要求。证明了该模型在RF SOI领域的有效性。
[Abstract]:The SOI process is popular in the Internet of things era because of its unique device characteristics. Relatively accurate device models are becoming more and more important. Based on the characteristics and model theory of SOI devices, a complete RF model is extracted by using the PSP-SOI PDD) model. A series of validations on DC, AC, high frequency small signal and large signal nonlinearity are carried out, which basically meet the requirements of various indexes. The validity of the model in RF SOI field is proved.
【作者单位】： 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
【分类号】：TN305

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本文编号：1559599