选区外延生长半极性GaN材料上的肖特基接触特性

发布时间：2018-03-07 20:07

  本文选题：GaN　切入点：半极性　出处：《半导体技术》2017年10期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：半极性GaN材料的研究在光电器件和电子器件领域有重要意义。采用选区外延生长技术在Si衬底上生长半极性GaN材料,并制备肖特基势垒二极管(SBD)。通过测量SBD在不同温度下的I-V特性曲线,观察到电流的大小随着温度的增加而增加,且受反向偏压影响,证明半极性GaN基SBD的电流传输机制为热电子场发射模型。光致发光光谱和X射线光电子能谱测试进一步表明,相比极性c面GaN材料,半极性GaN材料表面存在较高的氧杂质原子浓度和氮空位,此为半极性GaN肖特基特性偏离热电子发射模型的主要因素。
[Abstract]:The study of semi-polar GaN materials is of great significance in the field of optoelectronic devices and electronic devices. The selective epitaxial growth technique is used to grow semi-polar GaN materials on Si substrates. Schottky barrier diode (SBD) was prepared. By measuring the I-V characteristic curves of SBD at different temperatures, it was observed that the current increased with the increase of temperature and was affected by reverse bias. It is proved that the current transport mechanism of semi-polar GaN based SBD is a thermionic field emission model. The photoluminescence spectra and X-ray photoelectron spectroscopy further show that compared with the polar c-plane GaN material, The high oxygen impurity atom concentration and nitrogen vacancy on the surface of semi-polar GaN materials are the main factors that lead to the deviation of the characteristics of semi-polar GaN Schottky from the hot electron emission model.
【作者单位】： 中山大学电子与信息工程学院;中山大学光电材料与技术国家重点实验室;
【基金】：国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400100) 国家自然科学基金资助项目(61574173,61274039) 广东省对外科技合作项目(2013B051000041) 广州市科技计划资助项目(2016201604030055) 佛山市科技计划资助项目(201603130003)
【分类号】：TN304.2

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本文编号：1580766