混合电路形式的Ku波段低噪声放大器的设计

发布时间：2018-03-11 04:12

  本文选题：混合电路　切入点：Ku波段　出处：《微波学报》2017年04期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用低噪声HEMT场效应管和低噪声放大器单片的混合电路形式开展Ku波段低噪声放大器的设计。设计出的低噪声放大器产品取得了很低的噪声(噪声系数≤1.29 d B)、较大的线性动态范围、较小的增益带内起伏和尺寸等优越性能,且在40 GHz频率范围内无条件稳定。该产品成功应用于某型号装备中,很好地提高了该装备的信号接收能力。它也可应用于相应频段的卫星通讯、空间遥感及雷达等的接收系统中。
[Abstract]:The design of Ku-band low noise amplifier is carried out in the form of low noise HEMT field effect transistor and low noise amplifier monolithic circuit. The designed low noise amplifier has very low noise (noise coefficient 鈮，

本文编号：1596508