不同偏置影响SiGe HBT剂量率效应数值模拟

发布时间：2018-03-13 16:20

  本文选题：SiGe　切入点：HBT　出处：《原子能科学技术》2017年03期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：为研究不同偏置条件对SiGe异质结双极晶体管(HBT)剂量率效应的影响,采用半导体模拟软件Sentaurus TCAD构建了SiGe HBT三维数值仿真模型,研究了不同剂量率、不同偏置条件下SiGe HBT在γ瞬时辐照时各端口电流瞬变峰值随时间的变化及Gummel特性曲线的变化。结果表明,器件各端口的电流瞬变峰值随剂量率的增加而增加;不同端口对γ瞬时辐射响应的最劣偏置不同。同一端口在不同偏置条件下的瞬变电流也不同:集电极瞬变电流在衬底反偏时较大,基极瞬变电流在截止偏置时较大,衬底瞬变电流在衬底反偏时较大。产生这些现象的主要原因是不同偏置条件下载流子输运方式的变化和外加电场的影响。
[Abstract]:In order to study the effect of different bias conditions on the dose rate effect of SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT), a three-dimensional numerical simulation model of SiGe HBT was constructed by using semiconductor simulation software Sentaurus TCAD, and different dose rates were studied. Under different bias conditions, the peak value of current transient at each port of SiGe HBT changes with time and the characteristic curve of Gummel during 纬 -instantaneous irradiation. The results show that the peak value of current transient at each port of SiGe HBT increases with the increase of dose rate. At the same port, the transient current of the same port is different under different bias conditions: the collector transient current is larger when the substrate is inversely biased, and the base electrode transient current is larger at the cut-off bias. These phenomena are mainly due to the variation of carrier transport mode under different bias conditions and the effect of external electric field.
【作者单位】： 西安交通大学能源与动力工程学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(11575138,61274106,61574171)
【分类号】：TN322.8

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