高压IGBT表面钝化技术的研究进展

发布时间：2018-03-14 12:14

  本文选题：高压IGBT　切入点：表面钝化　出处：《电子工艺技术》2016年02期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：高压功率半导体器件IGBT(绝缘栅双极晶体管)的表面钝化工艺是其芯片加工工艺的重要环节,其钝化层的质量直接影响IGBT器件的性能参数和长期可靠性。为了解决高压IGBT的表面钝化工艺问题,首先研究了功率半导体器件的钝化机理,随后调研了功率器件常用表面钝化材料的优缺点和国际上主流的高压功率器件表面钝化方案,分析总结出了适用于高压IGBT的表面钝化材料和表面钝化方案,最后指出了高压IGBT表面钝化技术的发展趋势和今后的研究方向。
[Abstract]:The surface passivation process of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) is an important part of the chip processing technology. The quality of the passivation layer directly affects the performance parameters and long-term reliability of IGBT devices. In order to solve the surface passivation process of high-voltage IGBT, the passivation mechanism of power semiconductor devices is first studied. Then, the advantages and disadvantages of the surface passivating materials commonly used in power devices and the surface passivation schemes of high voltage power devices in the world are investigated, and the surface passivation materials and passivation schemes suitable for high voltage IGBT are analyzed and summarized. Finally, the development trend and future research direction of high pressure IGBT surface passivation technology are pointed out.
【作者单位】： 国网智能电网研究院;
【基金】：国家电网科技基金项目(项目编号:5455DW150005)
【分类号】：TN322.8

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本文编号：1611158