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ICP刻蚀优化及在多波长分布反馈式激光器阵列中的应用

发布时间:2018-03-15 06:38

  本文选题:激光器 切入点:分布反馈式激光器阵列 出处:《激光与光电子学进展》2017年03期  论文类型:期刊论文


【摘要】:研究了CH_4/H_2/Cl_2感应耦合等离子体刻蚀技术中的关键工艺参数对刻蚀性能的影响。通过对CH_4/H_2/Cl_2气体流量及流量比的优化,在自行设计的InP/InGaAlAs多量子阱结构的外延片上,实现了一种高速低损耗、形貌良好的Bragg光栅制作方法。基于优化后的工艺参数制作了多周期结构的λ/4相移光栅,实现了单片集成的四波长1.3μm分布反馈式激光器阵列。该激光器阵列中激光器的阈值电流典型值为11mA,外微分效率可达0.40 W/A,且实现了边摸抑制比大于46dB的稳定的单纵模激光输出。研究结果表明优化后的ICP光栅刻蚀工艺具有良好的刻蚀精度和可靠性。
[Abstract]:The influence of key process parameters on the etching performance of CH_4/H_2/Cl_2 inductively coupled plasma etching technology is studied. By optimizing the flow rate and flow ratio of CH_4/H_2/Cl_2, a self-designed InP/InGaAlAs multiquantum well structure epitaxial wafer is developed. A high speed and low loss Bragg grating with good morphology is realized. Based on the optimized process parameters, a multi-period 位 / 4 phase-shifted grating is fabricated. A monolithic integrated four-wavelength 1.3 渭 m distributed feedback laser array is implemented, in which the threshold current of the laser is 11 Ma, the external differential efficiency can reach 0.40 W / A, and the edge-groping rejection ratio is more than 46 dB. The results show that the optimized etching process of ICP grating has good etching accuracy and reliability.
【作者单位】: 北京邮电大学电子工程学院;太原理工大学信息工程学院;武汉电信器件有限公司;深圳清华大学研究院;
【基金】:国家高技术研究发展计划(2015AA016901)
【分类号】:TN248.4

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本文编号:1614903

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