一种基于多值RRAM的快速逻辑电路

发布时间：2018-03-16 03:26

  本文选题：多值RRAM　切入点：Crossbar　出处：《微电子学》2017年04期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：针对移动物联网设备,提出一种基于多值RRAM的快速逻辑电路,以实现非易失性存储与快速逻辑运算。利用RRAM多值存储特性,采用Crossbar结构,实现了简单快速的译码器与高存储密度查找表,使逻辑电路具有较快的运算速度和较小的面积。基于该结构实现了4位、8位和16位的乘法器,其外围电路采用SMIC 65 nm CMOS工艺实现,而其核心多值RRAM则采用Verilog-A模型模拟。仿真结果表明,与传统CMOS逻辑电路相比,基于多值RRAM的16位乘法器的速度提高了35.7%,面积减少了14%。
[Abstract]:This paper presents a fast logic circuit based on multi-valued RRAM for mobile Internet of things devices to realize non-volatile storage and fast logic operation. Using the characteristics of RRAM multi-valued storage, a Crossbar structure is adopted. A simple and fast decoder and a high storage density lookup table are implemented. The logic circuit has a faster operation speed and a smaller area. Based on this structure, a multiplier of 4 bits and 16 bits is implemented. The peripheral circuit is realized by SMIC 65 nm CMOS process, while the core multivalued RRAM is simulated by Verilog-A model. The simulation results show that compared with the traditional CMOS logic circuit, the speed of the 16 bit multiplier based on multivalued RRAM is increased by 35.7nm and the area is reduced by 14%.
【作者单位】： 北京交通大学电子信息工程学院;中国科学院微电子研究所;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61474134)
【分类号】：TN791

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本文编号：1618141