基于Heusler合金的自旋零能隙半导体

发布时间：2018-03-16 05:03

  本文选题：Heusler合金　切入点：自旋零能隙半导体　出处：《中国材料进展》2017年09期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：自旋零能隙半导体是一类具有接近100%的高自旋极化率,同时与工业半导体具有良好兼容特性的新型自旋电子学材料,在自旋注入、自旋晶体管中具有潜在应用前景。从理论计算的电子结构,结合实验的磁性、输运性质能方面对包括Hg_2CuTi型,LiMgPdSn四元等比型的Heusler自旋零能隙半导体及其研究进展进行了概述。阐明了Heusler合金中自旋零能隙半导体形成的机制和经验规律,揭示出原子有序、组分调制对自旋零能隙半导体性质的影响。通过对基于Heusler自旋零能隙半导体的自旋注入体系的构建,展望了自旋零能隙半导体的发展趋势和潜在应用。
[Abstract]:Spin zero gap semiconductor is a high spin polarization rate is close to 100%, and has good compatibility with semiconductor industry new material properties in spintronics, spin injection, spin transistor has the potential application prospect in electronic structure. From theoretical calculation, combining the magnetic and transport properties of Hg_2CuTi can include Heusler LiMgPdSn, four yuan than the type of spin zero energy gap semiconductor and its research progress were summarized. The spin Heusler alloy zero energy mechanism and empirical rules of gap semiconductor formation, reveal ordered atoms, components can affect the modulation of the spin zero gap semiconductor properties. Through the Heusler spin spin zero energy gap semiconductor injection system construction based on the zero spin, prospect of development trend of semiconductor and potential applications.

【作者单位】： 南京理工大学;中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(11604148)
【分类号】：TN304

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本文编号：1618421