硒化镉晶片的化学机械抛光

发布时间：2018-03-16 16:56

  本文选题：CdSe晶片　切入点：化学机械抛光(CMP)　出处：《半导体技术》2017年10期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：硒化镉(CdSe)的表面加工质量对CdSe基器件的性能至关重要。化学机械抛光(CMP)是一种获得高质量晶体加工表面的常用方法。为改善CdSe晶片的表面加工质量,以SiO_2水溶胶配制抛光液,研究了抛光液磨料质量分数、抛光液pH值、氧化剂NaClO的质量分数、抛光盘转速和抛光时间等因素对CdSe晶片抛光去除速率和表面质量的影响,优化了CdSe的CMP工艺参数。结果表明,在优化工艺条件下,CdSe的平均去除速率为320 nm/min,晶片的抛光表面无明显划痕和塌边现象。原子力显微镜(AFM)测量结果表明,抛光后的CdSe晶片表面粗糙度为0.542 nm,可以满足器件制备要求。
[Abstract]:The surface processing quality of cadmium selenide (CdSe) is very important to the performance of CdSe based devices. Chemical and mechanical polishing (CMP) is a common method to obtain high quality crystal machined surface. In order to improve the surface processing quality of CdSe wafer, SiO_2 hydrosol is used to prepare polishing solution. The effects of abrasive mass fraction, pH value of polishing liquid, mass fraction of oxidant NaClO, rotation speed of polishing disc and polishing time on the removal rate and surface quality of CdSe wafer were studied. The CMP process parameters of CdSe were optimized. Under the optimized conditions, the average removal rate of CdSe is 320 nm / min, and there is no obvious scratch and sloughing on the polished surface of the wafer. AFM measurements show that the surface roughness of the polished CdSe wafer is 0.542 nm, which can meet the requirements of device fabrication.
【作者单位】： 河北工业大学电子信息工程学院;中国电子科技集团公司第四十六研究所;
【基金】：天津市自然科学基金重点项目(15JCZDJC37800)
【分类号】：TN305.2

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本文编号：1620817