图形化蓝宝石衬底掺杂渐变GaN肖特基型紫外探测器

发布时间：2018-03-18 23:27

  本文选题：图形化蓝宝石衬底　切入点：氮化镓肖特基型紫外探测器　出处：《固体电子学研究与进展》2017年02期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：在图形化蓝宝石衬底掺杂渐变的氮化镓(GaN)外延片上制备了肖特基型紫外探测器。与传统结构器件相比,该器件表现出显著改善的电学和光学特性:(1)室温下,当偏压为-5V时具有极低的暗电流密度~1.3×10-8 A/cm~2;(2)在零偏压情况下,紫外/可见光抑制比为~4.2×10~3,最高的响应度为~0.147A/W,最大外量子效率为~50.7%,甚至在深紫外波段(250~360nm)平均量子效率也大于40%;(3)平均开启和关闭瞬态响应常数分别为115μs和120μs,基本不随偏压变化,且具有很好的热稳定性;(4)零偏压下热噪声限制的极限探测率为~5.5×10~(13)cm·Hz~(1/2)/W。
[Abstract]:Schottky type UV detectors have been fabricated on a patterned sapphire substrate doped with graded gallium nitride (gan) epitaxial wafers. Compared with the conventional devices, the devices exhibit significantly improved electrical and optical properties at room temperature. When the bias voltage is -5 V, there is a very low dark current density of 1.3 脳 10 ~ (-8) A / cm ~ (2 +) at zero bias. The UV / VIS suppression ratio is 4.2 脳 10 ~ (-3), the highest responsivity is 0.147 A / W, and the maximum external quantum efficiency is 50.7, even in the deep ultraviolet band, the average quantum efficiency is larger than that of 40 ~ (3)) the transient response constants on and off are 115 渭 s and 120 渭 s, respectively, and basically do not change with bias. The limit detectivity of thermal noise limit under zero bias voltage is 5.5 脳 10 ~ (10) ~ (13) cm 路Hz ~ (2 / W).
【作者单位】： 物联网技术应用教育部工程研究中心江南大学电子工程系;无锡中微掩模电子有限公司;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61504050) 江苏省自然科学基金资助资助项目(BK20130156,BK20140168,BK20150158) 2015年度普通高校研究生科研创新计划项目(KYLX15_1195)
【分类号】：TN23

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本文编号：1631825