用VGF法生长6英寸锗单晶中籽晶熔接工艺研究

发布时间：2018-03-21 07:43

  本文选题：垂直梯度凝固(VGF)　切入点：锗单晶　出处：《半导体技术》2017年11期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用垂直梯度凝固(VGF)法生长单晶时,其温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。在VGF法生长单晶的过程中,籽晶的熔接工艺直接影响着单晶生长的成败。研究了拉速器速度、保温时间及石英棉用量对6英寸(1英寸=2.54 cm)锗单晶VGF生长中籽晶熔接的影响,并确定了最佳的籽晶熔接工艺。研究结果发现,当拉速器速度为3~4 mm/h、保温时间为75~100 min、石英棉用量为15~20 g时,实现了对籽晶熔接工艺的精准控制,熔接长度为12~22 mm,位错密度小于500 cm~(-2),有效地降低了生产成本,提高了生产效率和单晶率。
[Abstract]:The temperature gradient and growth rate of single crystal grown by vertical gradient solidification method are lower and the growth rate is smaller. At present, it has become one of the mainstream techniques to grow large diameter and low dislocation density crystals. In the process of VGF growth of single crystals, The effect of rapier speed, holding time and the amount of quartz cotton on the growth of germanium single crystal VGF was studied. The optimum technology of seed welding was determined. The results showed that the precise control of seed fusion process was realized when the speed of the rapier was 3mm / h, the holding time was 75 ~ 100 min, and the dosage of quartz cotton was 15 ~ 20 g. The welding length is 12 ~ 22 mm and the dislocation density is less than 500 cm ~ (-1) ~ (-2), which can effectively reduce the production cost and increase the production efficiency and the single crystal rate.
【作者单位】： 云南鑫耀半导体材料有限公司;
【分类号】：TN304

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本文编号：1642901