光伏型InSb红外探测器瞬态特性界面陷阱效应

发布时间：2018-03-21 21:30

  本文选题：InSb　切入点：界面陷阱　出处：《西安电子科技大学学报》2017年03期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：界面陷阱会显著影响探测器的瞬态特性,为揭示其内在机理,并为探测器设计提供借鉴,基于二维仿真开展了背照式光伏型InSb红外探测器瞬态特性的界面陷阱效应研究,分析了界面陷阱与空穴浓度、复合率、电场等关键物理参数的相关性.研究表明,随着界面陷阱密度的增加,界面附近的复合率和电场会随之增加,空穴浓度会减小,而在电流密度分布中出现了"黑洞",且该"黑洞"位置逐渐向pn结移动.此外,随着界面陷阱密度的增加,瞬态光响应会逐渐减小.
[Abstract]:Interface traps can significantly affect the transient characteristics of the detector. In order to reveal its intrinsic mechanism and provide reference for the design of the detector, the interfacial trap effect of the transient characteristics of the backlit photovoltaic InSb infrared detector is studied based on two-dimensional simulation. The correlation between interface trap and key physical parameters, such as hole concentration, recombination rate, electric field and so on, is analyzed. It is shown that with the increase of interface trap density, the recombination rate and electric field near the interface will increase and the hole concentration will decrease. The "black hole" appears in the current density distribution, and the position of the "black hole" gradually moves to the PN junction. In addition, with the increase of the density of the interface trap, the transient optical response decreases gradually.
【作者单位】： 西安电子科技大学物理与光电工程学院;工业和信息化部电子第五研究所元器件检测中心;中国空空导弹研究院红外探测器航空科技重点实验室;
【基金】：航空科学基金资助项目(2012*****02) 国家自然科学基金资助项目(61307121)
【分类号】：TN215

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：1645606