1880nm侧向耦合分布反馈激光器的研究

发布时间：2018-03-23 16:05

  本文选题：侧向耦合分布反馈激光器　切入点：LC-DFB　出处：《应用激光》2017年05期

【摘要】：完成1 880nm高阶锑化镓侧向耦合分布反馈半导体激光器的制备。采用侧向耦合(Lateral coupled)结构使得外延材料可以一次生长完成,避免了外延层中Al组分容易氧化的特性导致的二次外延生长困难的问题,采用接触式紫外光刻技术制备了高阶光栅,大大降低了激光器的制备成本,实现了室温1 880nm单模连续波长激射,最大输出功率14.5mW,波长随温度漂移速率0.000 5nm/mA。
[Abstract]:The fabrication of 1 880nm high order Gallium antimonide side-coupled distributed feedback semiconductor laser is completed. The problem of secondary epitaxial growth caused by the easy oxidation of Al component in the epitaxial layer is avoided. High order gratings are fabricated by contact UV lithography, which greatly reduces the cost of laser fabrication. The room temperature 1 880nm single mode continuous wavelength laser is realized with the maximum output power of 14.5 MW and the wavelength drift rate of 0.000 nm / mA.
【作者单位】： 北京航空航天大学物理与核能工程学院;中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;中国科学院大学材料科学与光电技术学院;
【基金】：国家973计划资助项目(项目编号:2014CB643903,2013CB932904) 国家重大仪器专项资助项目(项目编号:2012YQ140005) 国家自然科学基金资助项目(项目编号:61435012,U1037602,61290303) 中国科学院战略先导专项(B)资助项目(项目编号:XDB01010200)
【分类号】：TN248

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本文编号：1654175