基于曲率补偿技术的带隙基准电路设计

发布时间：2018-03-23 23:17

  本文选题：带隙基准电路　切入点：高阶曲率补偿　出处：《半导体技术》2017年02期

【摘要】：提出了一种新的曲率补偿带隙基准电路,首先通过一个双差分输入放大器(DDIA)来产生一个绝对温度互补电压。然后通过这个电压与另一个DDIA对曲率补偿进行微调,得到一个高阶曲率补偿的带隙基准电压。采用0.5μm CMOS工艺技术对文中所设计的电路进行流片验证,得到在-40~125℃内,带隙基准电压源的温度系数为4.1×10-6/℃,当电源电压在2.7~5 V时,带隙基准电路的输出电压稳定在1.3 V左右。此外,该电路具有较高的电源抑制比(PSRR),当频率小于1 k Hz时,其电源抑制比为-82 d B,而当频率在10 k Hz时,其电源抑制比为-75 d B。
[Abstract]:In this paper, a new curvature compensated bandgap reference circuit is proposed, in which an absolute temperature complementary voltage is generated by a double differential input amplifier (DDIA), and then the curvature compensation is fine-tuned with another DDIA. A bandgap reference voltage with high order curvature compensation is obtained. The designed circuit is verified by using 0.5 渭 m CMOS technology. The temperature coefficient of the bandgap voltage reference source is 4.1 脳 10 ~ (-6) / 鈩，

本文编号：1655650