氮化镓器件在大功率电力电子系统中的应用

发布时间：2018-03-24 17:53

  本文选题：氮化镓器件　切入点：电力电子系统　出处：《电力电子技术》2017年09期

【摘要】：氮化镓(GaN)器件由于其卓越的开关特性,被逐渐应用于10 kW及以上系统。器件并联技术能够进一步降低GaN器件的导通损耗,增加系统的功率容量,开始成为工业界关注的重点。由于其极快的开关速度,GaN器件并联的主要挑战在于对其功率回路及驱动回路寄生参数的优化设计。探讨了并联器件特性及寄生参数对开关特性的影响,并详细给出了基于四管并联240 A/650V的半桥模块参考设计,双脉冲实验验证了半桥模块在额定电流下的开关特性。
[Abstract]:Gallium nitride gan (gan) devices have been gradually used in 10 kW and above systems due to their excellent switching characteristics. The parallel technology of the devices can further reduce the on-loss of GaN devices and increase the power capacity of the system. The main challenge of parallel connection of GaN devices with extremely fast switching speed is to optimize the parasitic parameters of power and drive circuits. The characteristics and parasitic parameters of parallel devices are discussed. The effect on the switching characteristics, The reference design of half bridge module based on four parallel 240A / 650V is given in detail. The switch characteristic of half bridge module under rated current is verified by double pulse experiment.
【作者单位】： GaN
【分类号】：TN303

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本文编号：1659384