宽谱光源对CMOS阵列电串扰的影响

发布时间：2018-03-25 10:31

  本文选题：宽谱光源　切入点：阵列探测器　出处：《红外与激光工程》2017年01期

【摘要】：CMOS阵列探测器中,像素单元间的串扰会影响其成像质量。为了解不同光源对CMOS电串扰的影响,针对CMOS图像传感器的电串扰特性建立了一个分析模型,结合CMOS图像传感器的工作原理定量计算了单色光、宽谱光源入射条件下的电串扰特性。分析结果表明CMOS图像传感器的电串扰随单色光波长、宽谱光源谱宽和中心波长的增大而增大,但中心波长与单色光波长相同的宽谱光源,其对电串扰的影响大于单色光。辐照功率为600μW,单色光波长为1 064 nm,电串扰大小约为50.611 m V;宽谱光源中心波长为1 064 nm,谱宽为400 nm时,电串扰的大小约为50.914 m V,相比于单色光电串扰增加了约0.303 m V。
[Abstract]:In CMOS array detector, crosstalk between pixel units will affect the imaging quality. In order to understand the influence of different light sources on CMOS crosstalk, an analytical model is established for the characteristics of CMOS image sensor. Combined with the working principle of CMOS image sensor, the characteristics of electric crosstalk under the condition of monochromatic light and wide spectrum light source are calculated quantitatively. The results show that the electric crosstalk of CMOS image sensor depends on the monochromatic wavelength. The width and center wavelength of wide spectrum light source increase, but the center wavelength is the same as that of monochromatic light source. Its influence on the electric crosstalk is greater than that of monochromatic light, the irradiation power is 600 渭 W, the wavelength of monochromatic light is 1 064 nm, the magnitude of electric crosstalk is about 50.611 MV, the center wavelength of wide spectrum light source is 1 064 nm and the spectral width is 400 nm. The magnitude of electric crosstalk is about 50.914 MV, which is 0.303 MV higher than that of monochromatic optoelectronic crosstalk.
【作者单位】： 四川大学电子信息学院;中国工程物理研究院流体物理研究所;
【基金】：四川省教育厅创新团队资助项目(13TD0048)
【分类号】：TN386.1

【参考文献】

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【共引文献】

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