太阳电池用多晶硅锭红外检测中阴影的表征分析

发布时间：2018-03-26 21:32

  本文选题：多晶硅铸锭　切入点：红外检测　出处：《半导体技术》2017年07期

【摘要】：研究了多晶硅铸锭过程中,硅锭内部红外探伤测试中显示黑斑位置晶体缺陷的杂质组成,并根据杂质成分推导了此种缺陷的形成机理和条件。采用光致发光(PL)技术、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对杂质进行了表征与分析。结果显示,形成阴影的夹杂在晶界中存在的形态主要为针状或薄片状,其组成成分主要为C,N和Si元素。而Si_3N_4的出现可能有两个原因:一是Si_3N_4涂层脱落而沉积在晶界中;二是溶解在液相中的N局部过饱和。此外,结晶过程中,SiC也随之成核并生长,在晶界上形成夹杂物,同时伴随着微缺陷的增加。据此提出了去除多晶硅锭内部阴影的几点措施。
[Abstract]:In the process of polycrystalline silicon ingot, the impurity composition of crystal defect at black spot position in infrared flaw detection test of silicon ingot was studied, and the formation mechanism and condition of the defect were deduced according to the impurity composition. Photoluminescence (PL) technique was used. The impurity was characterized and analyzed by scanning electron microscope (SEM) and X-ray energy spectrometer (EDS). The main components are Con N and Si elements. There may be two reasons for the appearance of Si_3N_4: one is that Si_3N_4 coating is deposited in grain boundary, the other is partial supersaturation of N dissolved in liquid phase. In addition, sic also nucleates and grows during crystallization. Inclusions are formed at grain boundaries and accompanied by the increase of microdefects. Accordingly, some measures to remove the internal shadow of polycrystalline silicon ingot are proposed.
【作者单位】： 光伏材料与技术国家重点实验室;英利能源(中国)有限公司;
【基金】：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2015AA050301)
【分类号】：TM914.4;TN304.12

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本文编号：1669707