掺镁氧化锌薄膜结构及其光学性质的研究

发布时间：2018-03-27 09:50

  本文选题：磁控溅射　切入点：氧化锌　出处：《中南民族大学学报(自然科学版)》2017年01期

【摘要】：以氧化镁(MgO)掺杂的氧化锌(ZnO)陶瓷靶作为溅射靶材,采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺镁ZnO(ZnO:Mg)薄膜样品.通过X射线衍射仪和可见-紫外光分光光度计的测试表征,研究了溅射时间对ZnO:Mg薄膜晶体结构和光学性质的影响.结果表明:ZnO:Mg薄膜的结构和性能与溅射时间密切相关.随着溅射时间的增加,ZnO:Mg薄膜(002)晶面的织构系数减小、(110)晶面的织构系数增大,对应的可见光波段的平均透过率降低.溅射时间为15 min时,ZnO:Mg薄膜样品具有最佳的(002)择优取向生长特性和最好的透光性能.同时ZnO:Mg薄膜样品的禁带宽度随溅射时间增加而单调增大.与未掺杂ZnO薄膜相比,所有ZnO:Mg薄膜样品的禁带宽度均变宽.
[Abstract]:The magnesium-doped ZnO- ZnO: MgO thin films were prepared on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering (RF magnetron sputtering), and the samples were characterized by X-ray diffractometer and visible-ultraviolet spectrophotometer. The effect of sputtering time on the crystal structure and optical properties of ZnO:Mg thin films was studied. The results show that the structure and properties of ZnO:Mg / mg thin films are closely related to the sputtering time. The texture coefficient of the crystal plane increases, The average transmittance of the corresponding visible light band decreases. The ZnO: mg thin film sample with sputtering time of 15 min has the best preferred orientation growth characteristic and the best transmittance. Meanwhile, the band gap of ZnO:Mg thin film sample is the same as the sputtering time. Compared with undoped ZnO thin films, The bandgap of all ZnO:Mg thin films is widened.
【作者单位】： 中南民族大学电子信息工程学院智能无线通信湖北省重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(11504436) 湖北省自然科学基金资助项目(2015CFB364) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CZW14019,CZW15045)
【分类号】：TN304.21

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：1671035