基于70nm GaAs MHEMT工艺的W波段低噪声放大器

发布时间：2018-03-28 03:34

  本文选题：电子束直写　切入点：W波段　出处：《固体电子学研究与进展》2017年02期

【摘要】：报道了一种采用电子束直写70nm"Y"型栅工艺制备的GaAs MHEMT器件及W波段低噪声放大器。器件的最大跨导可达到1 050mS/mm,最大电流密度可达650mA/mm。通过小信号S参数测试,可外推其电流增益截至频率fT及最大振荡频率fmax分别达350GHz及470GHz。采用该工艺制备的W波段低噪声放大器,在86~96GHz频段可实现噪声系数小于3dB,增益大于20dB。
[Abstract]:A GaAs MHEMT device and a W-band low noise amplifier fabricated by 70nm "Y" gate technology with electron beam direct-writing are reported. The maximum transconductance of the device can reach 1 050mSr / mm and the maximum current density can reach 650mA / mmmm. the small signal S parameters are measured. It can be extrapolated that the current gain ending frequency fT and the maximum oscillation frequency fmax are up to 350GHz and 470 GHz respectively. The W band low noise amplifier fabricated by this process can realize the noise coefficient less than 3 dB and gain more than 20 dB in the 86~96GHz band.
【作者单位】： 南京电子器件研究所;微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
【分类号】：TN722.3

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本文编号：1674610