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905nm InGaAs脉冲激光二极管驱动电流特性分析与测试

发布时间:2018-03-29 19:08

  本文选题:激光技术 切入点:可控调节 出处:《激光技术》2017年06期


【摘要】:为了实现高功率905nm InGaAs脉冲激光二极管激光脉冲宽度和峰值功率可调,采用现场可编辑门阵列产生触发脉冲、集成模块EL7104C作为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动、以MOSFET为核心开关器件控制高压模块和储能电容之间充放电的方法,设计了脉冲激光二极管驱动电路,对驱动电流特性进行了理论分析和实验验证,取得了不同电容和高压条件下的电流脉宽和峰值数据,分析了具体变化关系,并以此进行了光谱和功率-电流特性测试。结果表明,影响驱动电流脉宽和峰值电流的关键因素是电容大小和充电高压,脉冲激光二极管驱动电流峰值在0A~40A、脉宽20ns~100ns时可控调节,脉冲激光二极管最大峰值功率输出可达40W,实现了脉冲式半导体激光器输出功率和脉冲宽度的可控调节。该设计与分析对近红外高功率脉冲激光器的可控驱动设计具有一定的实用参考意义。
[Abstract]:In order to realize the adjustable pulse width and peak power of high power 905nm InGaAs pulse laser diode, the field editable gate array is used to generate trigger pulse, and the integrated module EL7104C is used as the MOSFET driver of metal oxide semiconductor field effect transistor. Using MOSFET as the core switch device to control the charge and discharge between the high voltage module and the energy storage capacitor, a pulse laser diode driving circuit is designed, and the driving current characteristics are theoretically analyzed and verified by experiments. The current pulse width and peak value data under different capacitance and high voltage conditions are obtained, and the specific variation relations are analyzed. The spectral and power-current characteristics are measured accordingly. The results show that, The key factors affecting the driving current pulse width and peak current are capacitance size and charging high voltage. The peak value of driving current of pulse laser diode is 0 An 40A, and the pulse width 20ns~100ns is controlled. The maximum peak power output of pulse laser diode can reach 40W, which realizes the controllable regulation of output power and pulse width of pulse semiconductor laser. The design and analysis of controllable drive design for near infrared high power pulse laser are presented. It has certain practical reference significance.
【作者单位】: 重庆大学光电工程学院;
【分类号】:TN24

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本文编号:1682450

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