应变纤锌矿半导体柱形量子点中光吸收及其压力效应

发布时间：2018-04-03 01:20

  本文选题：柱形量子点　切入点：子带光吸收　出处：《内蒙古农业大学》2015年硕士论文

【摘要】：在有效质量近似下,研究了应变纤锌矿半导体GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中基态与第一激发态波函数、能级和导带内的子带光吸收及其压力效应。数值计算了线性和非线性光吸收系数随量子点尺寸、组分和光照强度的变化,讨论了流体静压力对线性和非线性光吸收的影响。结果表明：随着量子点尺寸的减小和组分的增加子带跃迁吸收峰升高且发生蓝移；GaN/AlxGa1-xN量子点子带跃迁产生的吸收峰值会随流体静压力的减小而增加且发生红移。
[Abstract]:Under the effective mass approximation, the ground state and the first excited state wave function in the strained wurtzite semiconductor GaN/AlxGa1-xN columnar quantum dot, the subband light absorption in the energy level and the conduction band, and the pressure effect are studied.The variation of linear and nonlinear optical absorption coefficients with the size, composition and intensity of the quantum dots is numerically calculated. The effects of hydrostatic pressure on the linear and nonlinear optical absorption are discussed.The results show that with the decrease of quantum dot size and the increase of the composition, the absorption peak of subband transition increases and the absorption peak of blue shift gan / Al _ xGa _ 1-xN quantum dot band transition increases with the decrease of hydrostatic pressure and the redshift occurs.
【学位授予单位】：内蒙古农业大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2015
【分类号】：O471.1

【参考文献】

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本文编号：1702985