纯锡镀层锡须生长机理及聚氯代对二甲苯膜抑制效果研究

发布时间：2018-04-03 05:17

  本文选题：纯锡镀层　切入点：锡须　出处：《电镀与涂饰》2017年11期

【摘要】：以无铅器件及无铅引线框架为研究对象,采用扫描电镜、能谱分析了纯锡镀层锡须生长机理。采用化学气相沉积(CVD)法在样品表面镀聚氯代对二甲苯(PC)膜,研究了PC膜对锡须生长的抑制效果。结果表明:Cu/Sn界面处金属间化合物(IMC)易于向Sn晶界处生长,使得原位体积增加44.8%,因此界面处会产生较大压应力。此压应力会随着镀层/基体界面IMC层的不规则形成而增大。在压应力的作用下,Sn被挤出,从而形成锡须。PC膜对锡须的生长具有明显的抑制作用,且随着PC膜厚度的增大,锡须生长变慢,孕育期更长。5μm厚的PC膜能有效抑制锡须生长。
[Abstract]:The mechanism of tin whisker growth in pure tin coating was analyzed by scanning electron microscope (SEM) and energy dispersive spectroscopy (EDS), taking lead-free devices and lead-free lead frame as research objects.The inhibition effect of PC film on the growth of tin whisker was studied by chemical vapor deposition (CVD) method.The results show that the intermetallic compound (IMC) at the W / Cu / Sn interface is easy to grow to the Sn grain boundary, resulting in an increase in the in-situ volume of 44.8 and a large compressive stress at the interface.The compressive stress increases with the irregular formation of IMC layer at the coating / substrate interface.Under compressive stress, Sn was extruded, thus forming tin whisker. PC film had obvious inhibitory effect on the growth of tin whisker. With the increase of the thickness of PC film, the growth of tin whisker became slower, and the growth of tin whisker could be effectively inhibited by PC film with a longer incubation period of 5 渭 m thick.
【作者单位】： 中国工程物理研究院电子工程研究所;
【分类号】：TB306;TN604;TQ153.13

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本文编号：1703792