面向MEMS红外光源的高辐射率纳米硅结构制备

发布时间：2018-04-03 09:24

  本文选题：MEMS红外光源　切入点：硅纳米结构　出处：《仪表技术与传感器》2017年06期

【摘要】：通过制备面向MEMS红外光源的高辐射率多晶硅纳米柱状结构和单晶硅纳米孔结构,以提升红外源表面辐射率,降低器件功耗。制备方法分别为反应离子刻蚀(reactive-ion-etching,RIE)及等离子浸没离子注入(plasma immerse ion implantation,PIII)工艺对单晶硅以及铝电极掩膜的多晶硅表面调控修饰制备。并对2种纳米硅结构进行了吸收率测试,对铝电极掩膜进行了引线键合破坏拉力测试。测试表明,纳米硅结构在3~5μm波段的辐射率可以达到85%以上,暴露在刻蚀气氛后的铝电极掩膜引线键合强度可以达到器件工艺要求。
[Abstract]:In order to improve the surface emissivity and reduce the power consumption of the infrared source, the high emissivity polysilicon nanostructure and the monocrystalline silicon nano-pore structure are fabricated for MEMS infrared light source.The preparation methods were prepared by reactive ion etching (rie) and plasma immersion ion implantation (immerse ion implantation-PIII) to prepare monocrystalline silicon and aluminum electrode mask by polycrystalline silicon surface modification.The absorptivity of two kinds of nanocrystalline silicon structures and the tensile force of lead bonding failure of aluminum electrode mask were tested.The results show that the emissivity of nanocrystalline silicon structure can reach more than 85% at the wavelength of 3 ~ 5 渭 m, and the bonding strength of the aluminum electrode mask leads after exposure to etching atmosphere can meet the requirements of the device process.
【作者单位】： 中北大学电子测试技术国防科技重点实验室;中国科学院微电子研究所智能感知研发中心;沈阳理工大学理学院;昆山光微电子有限公司;
【基金】：国家自然科学基金项目(61335008,61601455) 国家高技术研究发展计划项目(2015AA042605) 中科院-北大率先合作团队项目(XMXX201200019933) 沈阳市科技计划项目(F16210600)
【分类号】：TN212;TN304.12

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本文编号：1704587