硅腔体MEMS环行器的设计与制作

发布时间：2018-04-03 17:42

  本文选题：微电子机械系统(MEMS)　切入点：基片集成波导(SIW)　出处：《微纳电子技术》2017年06期

【摘要】：设计制作了一种基于MEMS工艺的硅腔体环行器。该环行器以高阻硅为衬底材料,基于基片集成波导(SIW)技术的传输理论,采用体硅MEMS工艺和低损耗金属化技术实现了硅通孔及通孔金属化的制备。设计并仿真优化了硅腔体MEMS环行器结构,给出了一套硅腔体MEMS环行器制备的工艺流程,针对该工艺流程方案进行了关键参数的工艺误差仿真。实现了中心频率为13 GHz MEMS环行器的工艺制作和性能测试,频带内插损小于0.5 dB,电压驻波比(VSWR)小于1.25,隔离度大于20 dB,环行器尺寸仅为11.0 mm×11.0 mm×2.5 mm,远小于对应的波导腔体环行器。
[Abstract]:A silicon cavity circulator based on MEMS process is designed and fabricated.Based on the transmission theory of substrate integrated waveguide (SIW) technology, bulk silicon MEMS technology and low loss metallization technology are used to fabricate the via and through metallization of silicon.The structure of silicon cavity MEMS circulator is designed and optimized. A set of process flow of silicon cavity MEMS circulator is presented. The process error simulation of key parameters is carried out.The fabrication and performance test of 13 GHz MEMS circulator with center frequency are realized. The insertion loss in frequency band is less than 0.5 dB, the VSWR of VSWR is less than 1.25, the isolation degree is more than 20 dB, and the size of circulator is only 11.0 mm 脳 11.0 mm 脳 2.5 mm, which is much smaller than the corresponding waveguide cavity circulator.
【作者单位】： 专用集成电路重点实验室;中国电子科技集团公司第十三研究所;
【分类号】：TN621

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本文编号：1706241