一种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路

发布时间：2018-04-04 23:13

  本文选题：SiC　切入点：BJT　出处：《中国科技论文》2017年02期

【摘要】：提出了1种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路,采用电容储能的思想设计了SiC BJT驱动电路和脉冲放电电路。脉冲放电时,整个电路与电网间由高阻隔离;采用达林顿结构实现了充电电路;驱动电路基于硅MOSFET和硅BJT 2级电路,对光耦电流进行快速功率放大。实验结果表明,SiC BJT在脉冲放电时,基极电流从0过渡到器件导通所需电流的上升时间约为6ns。所提出的驱动电路设计思想对高压双极型功率半导体器件的快速驱动开发具有启发意义。
[Abstract]:A fast driving circuit applied to SiC BJT pulse discharge is proposed. The SiC BJT drive circuit and pulse discharge circuit are designed by the idea of capacitive energy storage.During pulse discharge, the whole circuit is separated from the power grid by high resistance. Darlington structure is used to realize the charging circuit. The driving circuit is based on silicon MOSFET and silicon BJT 2 circuit to amplify the photocoupler current quickly.The experimental results show that the rising time of the base current from 0 to the conduction of the device is about 6ns during the pulse discharge of sic BJT.The proposed design idea of driving circuit is instructive for the fast driving development of high voltage bipolar power semiconductor devices.
【作者单位】： 湖南大学电气与信息工程学院;
【基金】：湖南省自然科学基金资助项目(2015JJ3043) 高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20120161120012) 国家自然科学基金资助项目(61404048,51577054)
【分类号】：TN322.8

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本文编号：1712130