一种低功耗宽带低噪声放大器

发布时间：2018-04-10 22:31

  本文选题：共栅结构 + 低噪声放大器　； 参考：《微电子学》2017年01期

【摘要】：设计了一种应用于无线传感网的低功耗宽带低噪声放大器。通过使用电容交叉耦合的共栅放大器结构来提高增益,同时实现宽带输入阻抗匹配。运用PMOS和NMOS层叠结构实现电流复用,降低了功耗。该低噪声放大器采用0.18μm SMIC CMOS工艺设计。后仿真结果表明,该放大器在1.8V电源供电下的功耗仅为0.712mW,在3dB带宽0.043~1.493GHz范围内的峰值增益为20.44dB,最小噪声系数为4.024dB,输入3阶交调点为-3.73dBm。
[Abstract]:A low power broadband low noise amplifier for wireless sensor networks is designed.The gain is improved by using the capacitive cross-coupled cascade amplifier structure, and the wideband input impedance matching is realized at the same time.The current reuse is realized by using PMOS and NMOS stack structure, and the power consumption is reduced.The low noise amplifier is designed by 0.18 渭 m SMIC CMOS process.The simulation results show that the power consumption of the amplifier is only 0.712 MW under 1.8 V power supply, the peak gain is 20.44 dB in the 3dB bandwidth 0.043~1.493GHz range, the minimum noise coefficient is 4.024 dB, and the input third-order intersection point is -3.73 dBm.
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61474135)
【分类号】：TN722.3

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本文编号：1733179