一种新颖的抗辐射加固SR锁存器设计

发布时间：2018-04-11 08:24

  本文选题：振荡器 + SR锁存器　； 参考：《微电子学与计算机》2017年09期

【摘要】：为了设计出抗辐射加固的DC-DC开关电源振荡器,其中SR锁存器的抗辐射性能至关重要,提出了一种新颖的抗辐射加固SR锁存器电路.该抗辐射加固SR锁存器基于空间冗余设计的思想,已经在标准商用2P5M0.25μm工艺下设计和验证,电路版图面积为130μm×50μm,能够抗最大的总剂量效应为100kRad(Si),可以承受的最大线性能量传输LET为85 MeV-cm2/mg.相比于三模冗余SR锁存器,所设计的抗辐射加固SR锁存器电路的晶体管数目更少,电路节点的临界电荷更大,在电路节点同时发生多处翻转的情况下,抗单粒子翻转的成功率更高.
[Abstract]:In order to design an anti-radiation reinforced DC-DC switching power oscillator, in which the anti-radiation performance of SR latch is very important, a novel anti-radiation reinforcement SR latch circuit is proposed.The anti-radiation reinforcement SR latch is based on the idea of spatial redundancy design. It has been designed and verified in standard commercial 2P5M0.25 渭 m process. The circuit layout area is 130 渭 m 脳 50 渭 m, the maximum total dose effect is 100 kRad-Si Si, and the maximum linear energy transfer LET is 85 MeV-cm2 / mg.Compared with the three-mode redundant SR latch, the designed anti-radiation strengthened SR latch circuit has fewer transistors and greater critical charge at the circuit node.The success rate of anti-single-particle reversal is higher.
【作者单位】： 西北工业大学计算机学院;斯特拉斯堡大学;
【基金】：国家自然科学基金(11575144,61504108)
【分类号】：TN402

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本文编号：1735189