激基复合物给体作间隔层对激子复合区域的调节

发布时间：2018-04-13 13:20

  本文选题：间隔层 + 激基复合物　； 参考：《发光学报》2017年04期

【摘要】：为研究激基复合物器件激子复合区域的变化,在TPD/BPhen界面可形成激基复合物发光的基础上,以Ir(pq)2(acac)为探测层,制备器件ITO/Mo O_3(2.5 nm)/TPD((40-x)nm)/Ir(pq)2(acac)(0.5 nm)/TPD(x,x=0,3,6,10 nm)/BPhen(40 nm)/Cs2CO_3/Al,其中靠近BPhen的TPD称之为间隔层。电致发光光谱表明,该组器件的激子复合区域主要位于Ir(pq)2(acac)薄层和TPD/BPhen界面,分别发射595 nm和478 nm的光。随着TPD间隔层厚度的增加和电压的升高,发光区域向激基复合物区域(TPD/BPhen界面)移动,即更多的电子和空穴在TPD/BPhen界面形成激基复合物发光,Ir(pq)2(acac)发光减弱。当间隔层厚度由0 nm增至10nm时,6 V电压下的Ir(pq)2(acac)和激基复合物发光强度的比值由44降至1.5。对于间隔层厚度为6 nm的器件,Ir(pq)2(acac)和激基复合物发光强度的比值由6 V时的2.8降至10 V时的1.0。由此可见,激基复合物给体作间隔层能有效调节激子复合区域。
[Abstract]:The light emission intensity of Ir ( pq ) 2 ( acac ) and exciplex at 6 V was decreased from 2.8 to 1.5 when the thickness of the spacer layer increased from 0 nm to 10nm .

【作者单位】： 华东理工大学理学院物理系;
【基金】：国家自然科学基金(11504109) 上海市大学生创新训练项目(S16089)资助~~
【分类号】：TN383.1

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