微波用于抑制光刻胶纳米线条倒伏的研究

发布时间：2018-04-14 06:15

  本文选题：微波干燥 + 光刻胶纳米线条　； 参考：《微电子学》2017年05期

【摘要】：针对半导体工艺中去离子水的表面张力导致显影干燥过程中光刻胶纳米线条容易发生倒伏的问题,采用了微波干燥方法,以抑制光刻胶纳米线条倒伏。利用微波的热效应和非热效应,降低去离子水的表面张力,使光刻胶纳米线条上的去离子水均匀、快速地蒸发,有效抑制了光刻胶纳米线条的倒伏。与氮气干燥处理的传统方法相比,该方法能使高130nm、宽15nm的光刻胶纳米线条不发生倒伏,效果明显。这表明,该方法是可行和有效的。
[Abstract]:Aiming at the problem that the surface tension of deionized water in semiconductor process leads to the easy lodging of photoresist nanocrystals in the process of developing and drying, microwave drying method is adopted to suppress the lodging of photoresist nanoscale lines.The surface tension of deionized water is reduced by using the thermal and non-thermal effects of microwave, and the deionized water on the photoresist nanowires is uniformly and rapidly evaporated, which effectively inhibits the lodging of photoresist nanowires.Compared with the traditional method of nitrogen drying, this method can make the photoresist nanowires with high height of 130 nm and wide 15nm without lodging, and the effect is obvious.This shows that the method is feasible and effective.
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所;中国科学院大学;集成电路测试技术北京市重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61474139,61274059)
【分类号】：TN305

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本文编号：1748069