提高瞬态红外设备检测GaN HEMT结温准确度的方法

发布时间：2018-04-14 23:22

  本文选题：热学 + 瞬态红外　； 参考：《中国测试》2017年05期

【摘要】：用高空间分辨率测温技术与瞬态红外设备测温结果结合的方法提高瞬态红外设备对GaN HEMT结温检测的准确度。对GaN HEMT随脉冲工作条件的结温变化规律进行分析,证明脉冲条件下器件各个位置的瞬时温度与平均温度呈线性关系;依据上述关系,采用各个位置的平均温度(高空间分辨率)对瞬态红外设备检测结果进行修正,有效提高瞬态红外设备检测GaN HEMT时的准确度。用有限元仿真结果验证上述方法的准确性。根据该方法,用高空间分辨率的显微红外测温结果对瞬态红外设备测温结果进行修正,实现2.8μm空间分辨率的瞬态温度检测。该方法可以有效提高瞬态红外设备检测GaN HEMT结温结果的准确度。
[Abstract]:The accuracy of GaN HEMT junction temperature detection is improved by combining the high spatial resolution temperature measurement technique with the transient infrared device temperature measurement results.The variation law of junction temperature of GaN HEMT with pulse working condition is analyzed, and it is proved that the instantaneous temperature and average temperature of the device are linearly related to each position of the device under the pulse condition, according to the above relation,The average temperature of each position (high spatial resolution) is used to modify the detection results of transient infrared equipment, which can effectively improve the accuracy of transient infrared equipment in detecting GaN HEMT.The accuracy of the method is verified by finite element simulation.According to this method, the transient temperature measurement of 2.8 渭 m spatial resolution is realized by modifying the transient infrared temperature measurement results with high spatial resolution micro-infrared temperature measurement results.This method can effectively improve the accuracy of GaN HEMT junction temperature detection by transient infrared equipment.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第十三研究所计量中心;
【分类号】：TN386

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 杨旭;周雒维;杜雄;沈刚;徐铭伟;;绝缘栅双极型晶体管结温测量方法及其发展[J];电测与仪表;2012年02期

2 费翔;钱可元;罗毅;;大功率LED结温测量及发光特性研究[J];光电子.激光;2008年03期

3 陈明;胡安;唐勇;汪波;;绝缘栅双极型晶体管脉冲工作时结温特性及温度分布研究[J];西安交通大学学报;2012年04期

4 王惠艳;;晶闸管结温过高跳闸分析[J];高压电器;2010年10期

5 俞庆生;夏勋力;刘锐均;;大功率LED照明灯具的器件结温估算方法[J];中国照明电器;2011年09期

6 闫军政;杨士元;吴维刚;张金龙;;功率控制器结温无损伤测量技术研究与实现[J];半导体技术;2013年01期

7 杨敏杰;张伟;;两种旁路二极管结温测试方法的分析与比较[J];科技创新与应用;2013年20期

8 朱阳军;苗庆海;张兴华;卢烁今;;基于实际结温分布中小电流过趋热效应的验证[J];半导体学报;2007年07期

9 李松丽;张俊;;两种旁路二极管结温测试方法的分析与比较[J];上海计量测试;2013年01期

10 唐勇;陈明;汪波;;电力电子器件短时脉冲工作的结温特性研究[J];电力电子技术;2010年03期

相关会议论文 前7条

1 童家岭;邵妍;李晓春;毛军发;;基于场路等效的三维封装热模型与热分析[A];2011年全国微波毫米波会议论文集（下册）[C];2011年

2 郭伟玲;王晓明;陈建新;邹德恕;沈光地;;LED结温的测量方法研究[A];海峡两岸第十四届照明科技与营销研讨会专题报告暨论文集[C];2007年

3 慕建伟;滕飞;李开祥;宿天赋;李志;;LED结温及其计算方法[A];第二十七届中国（天津）2013IT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会议论文集[C];2013年

4 贾颖;李逗;曾晨晖;梁伟;曹红;;控制结温的功率晶体管稳态工作寿命试验的实现[A];第十一届全国可靠性物理学术讨论会论文集[C];2005年

5 毛德丰;郭伟玲;贾学姣;张勇辉;高国;沈光地;;功率LED热学特性研究[A];海峡两岸第十五届照明科技与营销研讨会专题报告暨论文集[C];2008年

6 张德骏;曹红;苗庆海;王家俭;张兴华;杨志伟;满昌峰;;控剖晶体管结温的稳态工作寿命试验方法[A];中国电子学会可靠性分会第十届学术年会论文集[C];2000年

7 毛德丰;郭伟玲;高国;沈光地;;功率LED电压与温度关系研究[A];中国照明论坛——城市照明节能规划、设计与和谐发展科技研讨会专题报告文集[C];2009年

相关重要报纸文章 前3条

1 何山嵩 广东;LED的寿命预测[N];电子报;2010年

2 上海力兹照明电气有限公司 汪钢 赵正之;LED灯条灯泡结温的测量[N];消费日报;2014年

3 杭州浙大三色仪器有限公司董事长 牟同升;LED检测：满足产品需求 新应用领域有差距[N];中国电子报;2007年

相关博士学位论文 前5条

1 吴军科;非平稳工况变流器IGBT模块结温平滑控制研究[D];重庆大学;2015年

2 罗皓泽;基于动态热敏电参数法的大容量IGBT模块结温在线提取原理和方法研究[D];浙江大学;2015年

3 陈全;大功率LED结温测试及其在封装热管理中的应用研究[D];华中科技大学;2012年

4 刘木清;照明用LED光效的热特性及其测试与评价方法的研究[D];复旦大学;2009年

5 张芹;大功率LED模块温度湿度加速寿命试验研究[D];华中科技大学;2011年

相关硕士学位论文 前10条

1 王勇;智能功率模块可靠性的有限元仿真研究[D];上海交通大学;2015年

2 王贺;IGBT功率模块结温探测和寿命预测[D];河北工业大学;2015年

3 黄欢;IGBT功率模块热传导与退化研究[D];河北工业大学;2015年

4 李家昌;4H-SiC PiN二极管高温可靠性研究[D];西安电子科技大学;2014年

5 武玫;GaN HEMTs器件结温测试与变温特性的研究[D];西安电子科技大学;2014年

6 漆琴;功率型LED结温检测与ANSYS仿真分析[D];杭州电子科技大学;2015年

7 刘丹;重复过流冲击下IGBT退化的在线监测[D];浙江大学;2016年

8 王明霞;大功率LED散热模拟与优化设计[D];郑州大学;2016年

9 张兵;大功率LED结温在线测量及热阻软测量研究[D];深圳大学;2016年

10 魏树辉;大功率LED结温的非接触测量技术研究[D];哈尔滨理工大学;2016年

，

本文编号：1751489