热原子层沉积技术制备TiAlCN薄膜的特性

发布时间：2018-04-15 05:21

  本文选题：热原子层沉积 + TiAlCN薄膜　； 参考：《半导体技术》2017年10期

【摘要】：在Si和SiO_2基底上,采用热原子层沉积技术,以四(二甲基氨基)钛(Ti(N(CH_3)_2)_4)和三甲基铝(Al(CH_3)_3)为前驱体,制备TiAlCN薄膜。测试结果表明,随着基底温度的升高,膜层的沉积速率升高,电阻率降低,光学带隙由3.45 eV降低到2.00 e V,并在基底温度为300和350℃时出现了双吸收边;基底温度为350℃时,Al(CH_3)_3分解,使Al进入膜层与TiN和TiC形成TiAl N和TiAlC;膜层中TiN和TiC的形成,可以有效抑制膜层的自然氧化;基底温度为250和300℃时,薄膜为无定型结构,当基底温度为350℃时,有TiN晶体产生;膜层的表面粗糙度随着基底温度的升高先降低后升高,表面粗糙度的升高可能是因为在基底温度为350℃时前驱体材料的分解,使C—H键进入膜层所导致的。
[Abstract]:TiAlCN thin films were prepared on Si and SiO_2 substrates by thermal atomic layer deposition technique, using tetra- (dimethylamino) Titanium (TiNN) TiN / Ch _ (3) s _ (2) and trimethyl Al ~ (2 +) Alch _ (3) s _ (3) as precursors.The results show that with the increase of substrate temperature, the deposition rate increases, the resistivity decreases, the optical band gap decreases from 3.45 EV to 2.00 EV, and the double absorption edges appear at the substrate temperatures of 300 鈩，

本文编号：1752701