电路抗老化设计中基于门优先的关键门定位方法

发布时间：2018-04-15 16:47

  本文选题：负偏置温度不稳定性 + 关键门　； 参考：《微电子学》2017年02期

【摘要】：随着CMOS工艺尺寸不断缩小,尤其在65nm及以下的CMOS工艺中,负偏置温度不稳定性(NBTI)已经成为影响CMOS器件可靠性的关键因素。提出了一种基于门优先的关键门定位方法,它基于NBTI的静态时序分析框架,以电路中老化严重的路径集合内的逻辑门为优先,同时考虑了门与路径间的相关性,以共同定位关键门。在45nm CMOS工艺下对ISCAS基准电路进行实验,结果表明:与同类方法比较,在相同实验环境的条件下,该方法不仅定位关键门的数量更少,而且对关键路径的时延改善率更高,有效地减少了设计开销。
[Abstract]:With the continuous reduction of CMOS process size, especially in the CMOS process below 65nm, the negative bias temperature instability has become a key factor affecting the reliability of CMOS devices.In this paper, a key gate location method based on gate priority is proposed. It is based on the static timing analysis framework of NBTI. It takes logic gate in the seriously aging path set in the circuit as the priority, and considers the correlation between gate and path at the same time.Position key doors together.The experimental results of ISCAS reference circuit in 45nm CMOS process show that under the same experimental environment, the method not only has fewer critical gates, but also improves the delay rate of critical path.The design cost is reduced effectively.
【作者单位】： 合肥工业大学计算机与信息学院;合肥工业大学电子科学与应用物理学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61274036)
【分类号】：TN432

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：1754950