宽禁带器件在电动汽车中的研究和应用

发布时间：2018-04-17 15:18

  本文选题：宽禁带器件 + 碳化硅　； 参考：《电源学报》2016年04期

【摘要】：硅基电力电子器件经过长期的发展,其性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究发展方向。首先主要介绍了电动汽车对电力电子变换器的要求及宽禁带器件的发展,然后对宽禁带器件在电动汽车中的研究现状进行了分析和展望,最后指出了宽禁带器件在电动汽车应用中面临的主要问题。
[Abstract]:Based on the long - term development of silicon - based power electronic devices , the performance of silicon - based power electronics has approached its material limit , it is difficult to significantly improve the performance of silicon - based power electronic devices . The third - generation wide bandgap semiconductor devices represented by silicon carbide and gallium nitride have better device performance than silicon devices .

【作者单位】： 南京航空航天大学自动化学院;
【基金】：教育部博士点基金资助项目(20123218120017) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(NS2015039,NJ20160047) 国家自然科学基金资助项目(51277095) 江苏高校优势学科建设工程资助项目~~
【分类号】：U469.72;TN303

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