CCD栅介质工艺对多晶硅层间介质的影响

发布时间：2018-04-19 10:54

  本文选题：栅介质 + 多晶硅　； 参考：《半导体光电》2017年03期

【摘要】：CCD多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。采用扫描电子显微镜和电学测试系统研究了CCD栅介质工艺对多晶硅层间介质的影响。研究结果表明:栅介质工艺对多晶硅层间介质形貌具有显著的影响。栅介质氮化硅淀积后进行氧化,随着氧化时间延长,靠近栅介质氮化硅区域的多晶硅层间介质层厚度增大。增加氮化硅氧化时间到320min,多晶硅层间薄弱区氧化层厚度增加到227nm。在前一次多晶硅氧化后淀积一层15nm厚氮化硅,能够很好地填充多晶硅层间介质空隙区,不会对CCD工作电压产生不利的影响。
[Abstract]:The CCD polysilicon overlapped area insulator plays an important role in the product yield and device reliability.The effect of CCD gate dielectric process on polysilicon interlayer dielectric was studied by scanning electron microscope and electrical measurement system.The results show that the gate dielectric process has a significant effect on the morphology of polysilicon interlayer dielectric.With the increase of oxidation time, the thickness of polycrystalline silicon interlayer layer near the gate dielectric silicon nitride region increases with the increase of oxidation time.When the oxidation time of silicon nitride is increased to 320 min, the thickness of the oxide layer in the weak zone between the polysilicon layers increases to 227 nm.After the previous polysilicon oxidation, a layer of 15nm thick silicon nitride was deposited, which can fill the dielectric gap between the polysilicon layers well, and has no adverse effect on the working voltage of CCD.
【作者单位】： 重庆光电技术研究所;
【分类号】：TN304;TN386.5

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本文编号：1772794