多管并联SiC MOSFET驱动电路设计

发布时间：2018-04-21 15:21

  本文选题：驱动电路 + 双脉冲　； 参考：《电力电子技术》2017年02期

【摘要】：分析了SiC MOSFET驱动电路的基本要求,并对驱动电路的结构、驱动电压的选取和可靠性设计等进行了重点研究,设计出一款简单实用的驱动电路,解决了多管并联的SiC MOSFET。驱动这一难题。另外,搭建了双脉冲实验电路对驱动电路进行了相关测试,分析确定了最佳门极电阻的参数和缓冲吸收电路。最后,将所设计驱动电路应用于50 kW/800 kHz的多管并联感应加热电源,进一步验证了所设计驱动电路适用于高频、大功率场合,具备一定的工业应用价值。
[Abstract]:The basic requirements of SiC MOSFET drive circuit are analyzed, and the structure of the drive circuit, the selection of driving voltage and the reliability design are emphatically studied. A simple and practical driving circuit is designed to solve the problem of multi-transistor parallel SiC MOSFETs. Drive the problem. In addition, a double-pulse experimental circuit is built to test the driving circuit, and the optimum gate resistance parameters and the snubber absorption circuit are analyzed and determined. Finally, the designed drive circuit is applied to 50 kW/800 kHz parallel induction heating power supply, which further verifies that the designed drive circuit is suitable for high-frequency and high-power applications, and has certain industrial application value.
【作者单位】： 华北电力大学;保定四方三伊电气有限公司;
【分类号】：TN386

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本文编号：1782992