一种新型IGBT多阶段驱动电路

发布时间：2018-04-25 10:11

  本文选题：绝缘栅双极型晶体管 + 驱动电路　； 参考：《电力电子技术》2017年09期

【摘要】：绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在各种中大功率电力电子装置中得到广泛应用,但IGBT在开关瞬态产生的电压电流过冲,不但会增加电路电磁干扰(EMI),甚至会损坏器件。所以在设计IGBT驱动电路时就需要考虑减小IGBT在开关瞬态中的电压电流过冲。提出了一种新型的IGBT驱动电路,可减小IGBT的电压电流过冲,相比于传统的方法,可缩短开关时间,降低开关损耗。
[Abstract]:Insulated gate bipolar transistor (IGBT) is widely used in various medium and high power power electronic devices, but the voltage and current overshoot produced by IGBT in the switching transient will not only increase the electromagnetic interference of the circuit, but also damage the device. Therefore, in designing the IGBT drive circuit, it is necessary to reduce the voltage and current overshoot of IGBT in the switching transient. A new type of IGBT drive circuit is proposed, which can reduce the voltage and current overshoot of IGBT. Compared with the traditional method, it can shorten the switching time and reduce the switching loss.
【作者单位】： 浙江大学;
【基金】：国家自然科学基金(51277161)~~
【分类号】：TN322.8

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本文编号：1800884