双层场板长漂移区LDMOS热载流子退化研究

发布时间：2018-04-25 14:24

  本文选题：长效可靠性 + 热载流子退化　； 参考：《固体电子学研究与进展》2017年05期

【摘要】：以中国科学院微电子研究所开发的双层场板长漂移区LDMOS为研究对象,通过长效(Long-term)可靠性实验展示了其特殊性退化过程,即I_(dss)快速下降—略微增长—再缓慢下降。通过TCAD仿真对双层场板长漂移区LDMOS的特殊退化现象进行仿真与分析,展示了器件内部物理量的变化。从理论上阐明了双层场板长漂移区LDMOS热载流子退化机理并对其特殊退化过程进行了解释说明。
[Abstract]:Taking the long drift region LDMOS of double-layer field plate developed by Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences as the research object, the special degradation process of LDMOS is demonstrated by long-effect long term reliability experiment, I. e. The special degradation phenomenon of LDMOS in the long drift region of double-layer field plate is simulated and analyzed by TCAD simulation, and the variation of physical quantity inside the device is shown. In this paper, the degradation mechanism of LDMOS hot carriers in the long drift region of double-layer plate is explained theoretically and its special degradation process is explained.
【作者单位】： 常州工学院;中国科学院微电子研究所;
【基金】：江苏高校品牌专业建设工程资助项目(PPZY2015B129) 江苏省高等学校自然科学研究项目(17KJB416001) 《江苏省电气工程及其自动化品牌专业建设一期工程项目》 《江苏省“电气工程”省重点建设学科》 《江苏省高校“特种电机研究与应用”重点建设实验室》 《基于22nm制程以下FinFET静电防护机理研究》等项目资助
【分类号】：TN386

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本文编号：1801693